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GSMBT1623 参数 Datasheet PDF下载

GSMBT1623图片预览
型号: GSMBT1623
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 147 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GSMBT1623的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
GSM BT 1623
描述
包装尺寸
NP ñ EP ITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GSMBT1623是专为AF放大器和通用应用程序使用驱动级。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
60
50
5
150
250
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
*VBE(sat)1
*h
FE
1
*h
FE2
*h
FE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
60
50
5
-
-
-
-
90
25
80
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
250
1.0
600
-
-
-
3.5
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=5V
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 6V , IC = 1毫安
VCE = 6V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 1mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0A
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
1
范围
L6P
90 - 180
L6Y
135 - 270
L6G
200 - 400
L6B
300 - 600
1/2