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GSMBT2014 参数 Datasheet PDF下载

GSMBT2014图片预览
型号: GSMBT2014
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 199 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GSMBT2014的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2005年7月22日
修订日期:
GSM BT 2014年
描述
P NP EP ITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GSMBT2014是专为通用开关和放大器应用。
特点
&放大器;
优秀ħ
FE
线性:H
FE
( 0.1毫安) / H
FE
( 2毫安) = 0.95 (典型值)。
包装尺寸
&Complementary到GSMBT4075
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
评级
+150
-55~+150
-50
-50
-5
-150
-30
225
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性(Ta = 25
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
fT
COB
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
-
70
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
)
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-300
-1.1
400
-
-
7
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
测试条件
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10uA ,我
C
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA , F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
兆赫
pF
分类h及
FE1
范围
SO
70 - 140
SY
120 - 240
SG
200 - 400
1/2