公司
摹SM BT 2 2 2 2将
描述
特点
＆放大器;
高频电流增益
高
&高速开关
&对于PNP型GSMBT2907A配套使用
颁发日期： 2005年1月12日
修订日期：
NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
该GSMBT2222A被设计为通用放大器和高速，中功率开关应用。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压在TA = 25 ：
集电极到发射极电压在TA = 25 ：
发射器基极电压在TA = 25 ：
集电极电流在TA = 25 ：
在Ta总功耗= 25 ：
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
75
40
6
600
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEX
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
*h
FE
5
fT
在TA = 25 ：
分钟。
75
40
6
-
-
-
-
-
-
-
35
50
75
100
40
300
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
10
10
500
1.0
1.2
2.0
-
-
-
300
-
-
兆赫
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
V
V
V
IC = 100uA的， IE = 0
IC=10mA,IB=0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 60V ， IE = 0
VCE = 60V ， VEB （ OFF） = 3V
VEB=3V
IC = 380毫安， IB = 10毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE = 10V ， IC = 100uA的
VCE = 10V ， IC = 1毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安
VCE = 10V ， IC = 150毫安
VCE = 10V ， IC = 500毫安
VCB = 20V ， IC = 20mA时， F = 100MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
380 S，占空比
2%
测试条件
1/2
GTM [ GTM CORPORATION ]
