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GSMBT5089 参数 Datasheet PDF下载

GSMBT5089图片预览
型号: GSMBT5089
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 213 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GSMBT5089的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2005年8月31日
修订日期:
GSM BT 5089
描述
包装尺寸
NP ñ EP ITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GSMBT5089是专为低噪声,高增益和通用放大器应用。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-55~+150
30
25
4.5
50
225
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
COB
分钟。
30
25
4.5
-
-
-
-
400
450
400
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
)
马克斯。
-
-
-
50
100
500
800
1200
-
-
-
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
I
C
= 100uA的,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= 15V ,我
E
=0
V
EB
= 4.5V ,我
C
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=0.1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5毫安, F = 20MHz的
V
CB
= 5V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
兆赫
pF
1/2