颁发日期： 2005年8月31日
修订日期：
GSM BT 5551
描述
NP ñ EP ITAXI AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GSMBT5551是专为一般用途的应用需要高击穿电压。
特点
＆放大器;
集电极 - 发射极击穿电压（ BV
首席执行官
= 160V @ IC = 1毫安）
高
包装尺寸
&Complementary到GSMBT5401
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-55~+150
180
160
6
600
225
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性（Ta = 25
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
1
*V
CE （ SAT ）
2
*V
BE （ SAT ）
1
*V
BE （ SAT ）
2
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
COB
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
30
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
)
马克斯。
-
-
-
50
50
150
200
1
1
-
250
-
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
V
测试条件
I
C
= 100uA的，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=为10uA ，我
C
=0
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
380 S，占空比
2%
兆赫
pF
GSMBT5551
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