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    GSMBT8050 参数 Datasheet PDF下载

    GSMBT8050图片预览
    型号： GSMBT8050
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延型晶体管 [NPN EPITAXIAL TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 157 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GSMBT8050的Datasheet PDF文件第2页  
    颁发日期： 2005年8月31日
    修订日期：
    GSM BT 8050
    描述
    包装尺寸
    NP否E PITAXI AL牛逼RANSI STOR
    该GSMBT8050是专为通用放大器应用。
    REF 。
    A
    A1
    A2
    D
    E
    HE
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.80
    1.10
    0
    0.10
    0.80
    1.00
    1.80
    2.20
    1.15
    1.35
    1.80
    2.40
    REF 。
    L1
    L
    b
    c
    e
    Q1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.42参考。
    0.15
    0.35
    0.25
    0.40
    0.10
    0.25
    0.65参考。
    0.15 BSC 。
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    中，除非另有说明）
    马克斯。
    -
    -
    -
    1
    100
    500
    1
    500
    -
    10
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    uA
    nA
    mV
    V
    I
    C
    =为10uA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    =为10uA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =150mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =150mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 20mA时， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    测试条件
    评级
    +150
    -55~+150
    25
    20
    5
    700
    225
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    fT
    COB
    分钟。
    25
    20
    5
    -
    -
    -
    -
    120
    150
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    D9C
    120 ~ 200
    D9D
    150 ~ 300
    D9E
    250 ~ 500
    GSMBT8050
    页次： 1/2

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