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    GSMBTA56 参数 Datasheet PDF下载

    GSMBTA56图片预览
    型号： GSMBTA56
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 194 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GSMBTA56的Datasheet PDF文件第2页  
    颁发日期： 2005年8月31日
    修订日期：
    的s M B TA 5 6
    描述
    包装尺寸
    PNP硅晶体管
    该GSMBTA56是专为通用放大器应用。
    REF 。
    A
    A1
    A2
    D
    E
    HE
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.80
    1.10
    0
    0.10
    0.80
    1.00
    1.80
    2.20
    1.15
    1.35
    1.80
    2.40
    REF 。
    L1
    L
    b
    c
    e
    Q1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.42参考。
    0.15
    0.35
    0.25
    0.40
    0.10
    0.25
    0.65参考。
    0.15 BSC 。
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    中，除非另有说明）
    马克斯。
    -
    -
    -
    -100
    -100
    -250
    -1.2
    -
    -
    -
    兆赫
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    mV
    V
    I
    C
    = -100uA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100uA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -80V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -60V ，我
    B
    =0
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-100mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-10mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-100mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -10mA ， F = 100MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度
    380 S，占空比
    2%
    评级
    +150
    -55~+150
    -80
    -80
    -4
    -500
    225
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    fT
    分钟。
    -80
    -80
    -4
    -
    -
    -
    -
    50
    50
    100
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    测试条件
    GSMBTA56
    页次： 1/2

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