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GSMBZ5276B 参数 Datasheet PDF下载

GSMBZ5276B图片预览
型号: GSMBZ5276B
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内容描述: 齐纳二极管 [ZENER DIODES]
分类和应用: 二极管齐纳二极管
文件页数/大小: 9 页 / 810 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
GSMBZ5221B~GSMBZ5270B
描述
齐纳二极管
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
TA = 25 ' ,减免上述25'
器件总功耗
氧化铝基板** TA = 25 ' ,减免上述25'
热阻结到环境
结温和存储温度
* FR - 5 - 1.0 0.75 0.062 **氧化铝0.4 0.3
符号
PD
PD
RJ-A
TJ , TSTG
0.024英寸99.5 %的氧化铝。
最大
225
1.8
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ º
mW
毫瓦/ º
‘ /W
热特性
(V
F
= 0.9V最大@
I
F
= 10毫安所有类型。 )
设备
GSMBZ5221B
GSMBZ5222B
GSMBZ5223B
GSMBZ5224B
GSMBZ5225B
GSMBZ5226B
GSMBZ5227B
GSMBZ5228B
GSMBZ5229B
GSMBZ5230B
GSMBZ5231B
GSMBZ5232B
GSMBZ5233B
GSMBZ5234B
GSMBZ5235B
GSMBZ5236B
GSMBZ5237B
GSMBZ5238B
GSMBZ5239B
GSMBZ5240B
记号
CODE
18A
18B
18C
18D
18E
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
TEST
当前
IZT (毫安)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
2.280
2.375
2.565
2.660
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.700
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
齐纳电压
VZ (V)的
公称
最大
2.4
2.520
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
2.625
2.835
2.940
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.300
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.500
ZZK
IZ=0.25mA
=最大
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
ZZT
IZ = IZT
=最大
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
17
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
马克斯。反向
当前
IR( UA)的
@VR ( V)
100
1.0
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
1/9