无铅电镀产品
颁发日期： 2005年8月29日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
GSS4509
N和P沟道增强型功率MOSFET
该GSS4509提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关性能
描述
N-CH BV
DSS
30V
N沟道
R
DS （ ON）
14m
N沟道
I
D
10A
P- CH BV
DSS
-30V
N沟道
R
DS （ ON）
20m
N沟道
I
D
-8.4A
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0C
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8C
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45 C
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
N沟道P沟道
单位
V
V
A
A
A
W
W/
30
f 20
10
7.9
30
2.0
0.016
-30
f 20
-8.4
-6.7
-30
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
价值
62.5
单位
/W
GSS4509
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