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GSS4936 参数 Datasheet PDF下载

GSS4936图片预览
型号: GSS4936
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 312 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2005/10/31
修订日期:
GSS4936
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
25V
37m
5.8A
该GSS4936提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备的设计,超的最佳组合
低导通电阻和成本效益。
*简单的驱动要求
*低栅极电荷
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
25
±20
5.8
4.6
30
2
0.016
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
连续漏电流
3
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
62.5
单位
: /W
GSS4936
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