无铅电镀产品
颁发日期： 2006/04/27
修订日期：
GSS6900S
双N沟道MOSFET和肖特基二极管
该GSS6900S提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计的最佳组合，
低导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
* DC-DC转换器适用
*快速开关性能
描述
CH1 BV
DSS
30V
N沟道
R
DS （ ON）
30m
N沟道
I
D
5.7A
CH2 BV
DSS
30V
N沟道
R
DS （ ON）
22m
N沟道
I
D
9.8A
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0°
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8°
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
CH-1
CH-2
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
30
±20
5.7
4.6
20
1.4
0.01
30
±20
9.8
7.8
30
3.1
0.02
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
3
热阻结到环境
3
热阻结到环境
3
符号
Rthj-a(CH-1)
Rthj-a(CH-2)
Rthj -一（
肖特基
)
价值
典型值。
70
42
52
马克斯。
90
40
60
单位
: /W
: /W
: /W
GSS4816S
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