GSS9926 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GSS9926
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 306 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2004年5月27日

修改日期： 2006/11 / 15E

GSS9926

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

28m

描述

该GSS9926为设计者提供了快速开关，坚固耐用的设备设计的最佳组合，

超低导通电阻和成本效益。

*低导通电阻

*有能力2.5V栅极驱动

*低驱动电流

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

4.80

3.80

0°

0.40

0.19

6.20

5.00

4.00

8°

0.90

0.25

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.25

0.35

0.49

1.35

1.75

0.375 REF 。

45°

1.27 TYP 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@4.5V

连续漏电流

, V

@4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

@ TA = 25 ：

@ TA = 70 ：

@ TA = 25 ：

TJ ， TSTG

评级

±8

4.8

0.016

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

62.5

单位

GSS9926

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