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GSS9971 参数 Datasheet PDF下载

GSS9971图片预览
型号: GSS9971
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 330 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2005年10月14日
修订日期:
GSS9971
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
60V
50m
5A
该GSS9971提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备的设计,超的最佳组合
低导通电阻和成本效益。
描述
特点
*低导通电阻
*简单的驱动要求
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
60
±25
5
3.2
30
2
0.016
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
62.5
单位
/W
GSS9971
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