GT2531 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GT2531
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 389 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006年1月23日

修订日期：

GT2531

N和P沟道增强型功率MOSFET

描述

N-CH BV

DSS

16V

N沟道

DS （ ON）

58m

N沟道

3.5A

P- CH BV

DSS

-16V

N沟道

DS （ ON）

125m

N沟道

-2.5A

该GT2531采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。

特点

*低栅极变化

*低导通电阻

*符合RoHS

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

2.70

2.60

1.40

0.30

0°

马克斯。

3.10

3.00

1.80

0.55

0.10

10°

REF 。

尺寸

毫米

1.90 REF 。

1.20参考。

0.12 REF 。

0.37 REF 。

0.60参考。

0.95 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

N沟道P沟道

单位

W/ :

±8

3.5

2.8

1.14

0.01

-16

±8

-2.5

-2.0

-10

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

-55 ~ +150

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

110

单位

: /W

GT2531

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