GT2603 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GT2603
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 355 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005/04/24

修订日期：

GT2603

P沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-20V

65m

-5.0A

该GT2603采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

该GT2603是普遍适用于所有商业工业应用。

描述

特点

*简单的驱动要求

*小包装外形

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

2.70

2.60

1.40

0.30

0°

马克斯。

3.10

3.00

1.80

0.55

0.10

10°

REF 。

尺寸

毫米

1.90 REF 。

1.20参考。

0.12 REF 。

0.37 REF 。

0.60参考。

0.95 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

-20

f 12

-5

-4

-20

0.016

-55 ~ +150

评级

62.5

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

单位

1/4

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