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GTC220E 参数 Datasheet PDF下载

GTC220E图片预览
型号: GTC220E
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 306 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2006/09/13
修订日期:
GTC220E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
30m
5A
该GTC220E为设计者提供了快速开关,坚固耐用的设备设计的最佳组合,
超低导通电阻和成本效益。
*低导通电阻
*有能力2.5V栅极驱动
*低驱动电流
*表面贴装封装
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
c
D
毫米
分钟。
-
0.05
0.19
0.09
2.90
马克斯。
1.20
0.15
0.30
0.20
3.10
REF 。
E
E1
e
L
S
毫米
分钟。
6.20
4.30
0.45
马克斯。
6.60
4.50
0.75
0.65 BSC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ TA = 25 :
I
D
@ TA = 70 :
I
DM
P
D
@ TA = 25 :
TJ , TSTG
评级
20
±12
5.0
4.0
20
1
0.008
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
125
单位
: /W
GTC220E
页次: 1/4