GTS217E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GTS217E
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 287 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2004年10月13日

修改日期： 2006/12 / 25B

GTS217E

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

22m

该GTS217E为设计者提供了快速开关，坚固耐用的设备设计的最佳组合，

超低导通电阻和成本效益。

*低导通电阻

*有能力2.5V栅极驱动

*优化DC / DC电池应用

描述

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

0.05

0.19

0.09

2.90

马克斯。

1.20

0.15

0.30

0.20

3.10

REF 。

毫米

分钟。

6.20

4.30

0.45

0°

马克斯。

6.60

4.50

0.75

8°

0.65 BSC

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

±12

5.7

1.5

0.012

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

单位

GTS217E

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