GTT2604 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GTT2604
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 280 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006/03/28

修订日期：

GTT2604

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

30V

45m

5.5A

利用先进的加工技术的GTT2604以实现尽可能低的导通电阻，

非常有效和符合成本效益的设备。

该GTT2604普遍适用于所有商业工业应用。

描述

*快速开关特性

*低栅极电荷

*体积小&薄型封装

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.10最大。

0.10

0.70

1.00

0.12 REF 。

2.70

3.10

2.60

3.00

1.40

1.80

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.45 REF 。

0.60参考。

0°

10°

0.30

0.50

0.95 REF 。

1.90 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@4.5V

连续漏电流

, V

@4.5V

1,2

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

±20

5.5

4.4

0.016

-55 ~ +150

价值

62.5

单位

W/ :

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

1/4

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案