无铅电镀产品
颁发日期: 2006/10/31
修订日期:
GTT3434
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
34m
6.1A
该GTT3434采用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻和低栅极电荷。
采用TSSOP - 6包装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
描述
特点
*低导通电阻
*有能力2.5V栅极驱动
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
30
±12
6.1
4.9
30
1.14
0.01
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
110
单位
: /W
GTT3434
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