无铅电镀产品
颁发日期： 2006/02/23
修订日期：
GTT3585
N和P沟道增强型功率MOSFET
描述
N-CH BV
DSS
20V
N沟道
R
DS （ ON）
75m
N沟道
I
D
3.5A
P- CH BV
DSS
-20V
N沟道
R
DS （ ON）
160m
N沟道
I
D
-2.5A
该GTT3585为设计者提供了导通电阻和最快速切换的组合，低
成本效益。
采用TSSOP - 6包装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
特点
*低栅极变化
*低导通电阻
*符合RoHS
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
N沟道P沟道
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
20
± 12
3.5
2.8
10
1.14
0.01
-20
± 12
-2.5
-1.97
-10
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
110
单位
: /W
GTT3585
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