GTT6301K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GTT6301K
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 281 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006年1月9日

修订日期：

GTT6301K

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

30V

640mA

该GTT6301K利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

该GTT6301K普遍适用于所有商业工业应用。

描述

特点

*简单的驱动要求

*小包装外形

*符合RoHS

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.10最大。

0.10

0.70

1.00

0.12 REF 。

2.70

3.10

2.60

3.00

1.40

1.80

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.45 REF 。

0.60参考。

0°

10°

0.30

0.50

0.95 REF 。

1.90 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@10V

连续漏电流

, V

@10V

1,2

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

±16

640

500

950

1.2

0.01

-55 ~ +150

价值

110

单位

W/ :

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

GTT6301K

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