GTT8205S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GTT8205S
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 318 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006年7月19日

修改日期： 2006/11 / 09B

GTT8205S

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

28m

该GTT8205S提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和

成本效益。

采用TSSOP - 6包装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。

*低导通电阻

*有能力2.5V栅极驱动

*低驱动电流

描述

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.10最大。

0.10

0.70

1.00

0.12 REF 。

2.70

3.10

2.60

3.00

1.40

1.80

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.45 REF 。

0.60参考。

0°

10°

0.30

0.50

0.95 REF 。

1.90 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@4.5V

连续漏电流

, V

@4.5V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

±8

4.8

1.14

0.01

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

110

单位

: /W

GTT8205S

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