GTT8209E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GTT8209E
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 303 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2006年8月8日

修订日期：

GTT8209E

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

21m

所使用的GTT8209E先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻非常有效和

成本效益的设备。

该GTT8209E普遍适用于所有商业工业应用。

描述

*低栅极电荷

*小包装外形

*符合RoHS

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.10最大。

0.10

0.70

1.00

0.12 REF 。

2.70

3.10

2.60

3.00

1.40

1.80

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.45 REF 。

0.60参考。

0°

10°

0.30

0.50

0.95 REF 。

1.90 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

1,2

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

工作结存储温度范围

评级

±12

5.7

1.2

0.01

-55 ~ +150

价值

110

单位

W/ :

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

GTT8209E

页次： 1/4

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案