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GU90T03 参数 Datasheet PDF下载

GU90T03图片预览
型号: GU90T03
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 311 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005/03/01
修改日期: 2005/12 / 01B
电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
分钟。
30
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
55
-
-
-
-
-
60
8.5
38
14
83
66
120
4090
1010
890
马克斯。
-
-
3.0
-
D
100
1
25
5
6
96
-
-
-
-
-
-
6540
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=30A
20V
V
GS
= D
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=45A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=30A
I
D
=40A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
V
GS
=10V
R
G
=3.3 Ł
R
D
=0.5 Ł
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150 :
)
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
51
63
马克斯。
1.3
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 45A ,V
GS
=0V
I
S
= 30A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
GU90T03
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