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1N5931B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5931B
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内容描述: GLAS S PASSIVA TED JUNC TION S ILICON稳压二极管VO LTA GE - 1 1〜200武LTS [GLAS S PASSIVA TED JUNC TION S ILICON ZENER DIODE VO LTA GE - 1 1 T O 200 Vo lts]
分类和应用: 稳压二极管测试
文件页数/大小: 3 页 / 451 K
品牌: GXELECTRONICS [ Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. ]
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星合电子
XINGHE ELECTRONICS
1N5926B THRU 1N5956B
玻璃钝化结硅稳压二极管
电压 - 11至200伏
功率 - 1.5瓦
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
200
VZ @ IZT
1K
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
£c
VZ ,温度
系数(MV / ¢十)
TJ - 25
¢J
IZ (毫秒) = 0.1 IZ (直流)
VZ = 150V
91V
62V
100
70
50
30
20
22V
12V
6.8V
50
100
200
500
10
10
20
30
50
70
100
200
VZ ,齐纳电压(伏)
IZ ,齐纳测试电流(mA)
图。三齐纳电压-10于200伏
图。四效齐纳电流的
1K
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
200
IZ (直流) = 1毫安
100
70
50
30
20
10mA
10
7
5
3
2
5
20mA
7
10
20
IZ (毫秒) = 0.1 IZ (直流)
30
50
70
100
PPK ,峰值浪涌电源
(瓦特)
500
300
200
100
50
30
20
10
.1
矩形非重复性
波形TJ = 25 PRIOR TO
¢J
初始脉冲
.2 .3
5
1
2 3 5
10
20
50
100
VZ ,齐纳电压(伏)
PW ,脉冲宽度(毫秒)
100
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2 3
4
5
6 7
8
9 10
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20 30 40
50 60
70 80 90
100
VZ ,齐纳电压(伏)
VZ ,齐纳电压(伏)
图。 7 - VZ = 6.8 THRU 10伏
图。 8 - VZ = 12 THRU 82伏
3
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.    WWW.SDDZG.COM     TEL:0536-2210359       QQ:464768017