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BZX55C8V2 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BZX55C8V2
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内容描述: 硅平面齐纳二极管 [Silicon Planar Zener Diodes]
分类和应用: 二极管齐纳二极管测试
文件页数/大小: 3 页 / 102 K
品牌: GXELECTRONICS [ Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. ]
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BZX55C
硅平面齐纳二极管
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。其他公差和
高齐纳电压要求。
最大。 0.5
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
阴极带
产品型号
XXX
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸(mm)
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
500
1)
单位
mW
O
175
- 55〜 + 175
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 100毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
0.3
1)
1
单位
K /毫瓦
V
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。