模块
对硅光电二极管阵列驱动电路
C9004
为16单元的光电二极管阵列的驱动电路
特点
应用
l
高精度和高速测量由
同时16通道读取
l
装配有脉冲发生器（ 8级可调
l
l
l
振荡频率）
CLK ， START ， A / D转换触发和EOS脉冲输出
增益选择（转换阻抗） ： 1 × 10
6
或1×10
7
（V / A ）
滨松S4111-16系列， S5668系列和S8592
光电二极管阵列可直接安装在船上。
单电源工作： + 12V
l
滨松S4111-16系列绩效评估，
S5668系列和S8592光电二极管阵列
l
位置测量
l
位移测量
I
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电流
工作温度
储存温度
符号
VCC最大。
IIN最大。
TOPR
TSTG
价值
+18
+6.7 × 10
-5
0至+50
-20至+80
单位
V
A
°C
°C
I
电气和光学特性（Ta = 25
°C)
参数
符号
IIN
Tz
VOS
Vo
输入电流范围
转换阻抗*
1
输出失调电压
输出电压振幅
条件
TZ = 1×10
6
TZ = 1×10
7
TZ = 1×10
6
（发货之前成立）
TZ = 1×10
7
*
2
TZ = 1×10
6
, R
L
= 1千瓦
TZ = 1×10
7
, R
L
= 1千瓦
TZ = 1×10
6
（满带宽）
TZ = 1×10
7
（满带宽）
TZ = 1×10
6
, R
L
= 1千瓦
TZ = 1×10
7
, R
L
= 1千瓦
分钟。
-
-
1 × 10
6
-
-
0
0
-
-
-
-
-
1.5625
5
典型值。
-
-
-
0.025
0.25
-
-
5
10
5.6
5.6
-
-
-
TTL
200
马克斯。
1 × 10
-5
1 × 10
-6
1 × 10
7
-
-
+10
+10
-
-
-
-
100
200
640
250
单位
A
A
V / A
V
V
V
V
MVP -P
MVP -P
µs
µs
pF
千赫
µs
-
mA
输出噪声电压
e
NP -P
tr
上升时间
容性负载
C
L
3
振荡频率（OUT） *
CLK
3
启动脉冲宽度（ OUT ） *
-
4
输出格式*
-
消耗电流
ICC
-
* 1 ：转换阻抗可以用在电路板上的开关变化。
* 2：可变电阻V
R
在电路基板上，必须使用用于制备偏移调整。
* 3 ：可调节在8个步骤通过使用BCD码旋转开关在电路板上。
* 4： CLK，启动，触发和EOS脉冲输出格式。
初步数据
2002年8月
1
HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
