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G1127-02 参数 Datasheet PDF下载

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型号: G1127-02
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内容描述: 磷砷化镓发光二极管 [GaAsP photodiode]
分类和应用: 半导体光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 171 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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磷砷化镓发光二极管
s

光谱响应
0.3
(典型值TA = 25℃)
G1126-02, G1127-02, G2119
s

照片灵敏度​​温度特性
+1.5
(典型值)。
照片灵敏度( A / W)
0.25
温度COEF网络cient
(%/˚C)
+1.0
0.2
0.15
+0.5
0.1
0
0.05
0
190
400
600
800
-0.5
190
400
600
800
波长(nm )
KGPDB0034EA
波长(nm )
KGPDB0035EA
s

上升时间与负载电阻
10
ms
G2119
1
ms
G1127-02
(典型值TA = 25℃, V
R
=0 V)
s

暗电流与反向电压
1
nA
(典型值TA = 25℃)
100
pA
G2119
100
µs
G1126-02
10
µs
暗电流
上升时间
G1127-02
10
pA
G1126-02
1
pA
1
µs
100
ns
2
10
10
3
10
4
10
5
10
6
100
fA
0.001
0.01
0.1
1
10
负载电阻( Ω )
KGPDB0036EA
反向电压( V)
KGPDB0037EA