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    G1962 参数 Datasheet PDF下载

    G1962图片预览
    型号： G1962
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 光电二极管的GaP [GaP photodiode]
    分类和应用： 半导体光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 159 K
    品牌： HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
     浏览型号G1962的Datasheet PDF文件第2页浏览型号G1962的Datasheet PDF文件第3页浏览型号G1962的Datasheet PDF文件第4页  
    光电二极管
    光电二极管的GaP
    G1961, G1962, G1963
    肖特基型
    特点
    应用
    l
    低暗电流
    l
    高紫外线的敏感性
    l
    分析仪器
    l
    紫外检测
    s
    通用等级/绝对最大额定值
    型号
    G1961
    G1962
    G1963
    尺寸的
    外形/
    窗口
    材料
    ➀/Q
    *
    ➁/Q
    ➂/Q
    包
    TO-18
    TO-5
    TO-8
    活动区域
    SIZE
    (mm)
    1.1 × 1.1
    2.3 × 2.3
    4.6 × 4.6
    有效
    活跃
    区域
    (mm
    2
    )
    1.0
    5.2
    21
    绝对最大额定值
    操作
    存储
    反向
    温度
    温度
    电压
    TOPR
    TSTG
    V
    R
    马克斯。
    (V)
    (°C)
    (°C)
    5
    -10至+60
    -20至+70
    s
    电气和光学特性（典型值TA = 25
    °C
    中，除非另有说明）
    光谱
    PEAK
    响应
    灵敏度
    范围
    波长
    λ
    λp
    （纳米）
    （纳米）
    照片灵敏度
    S
    （ A / W）
    短路
    当前
    ISC
    ????? LX
    黑暗
    当前
    I
    D
    马克斯。
    终奌站
    温度。
    上升时间
    分流
    电容
    系数
    tr
    阻力
    Ct
    of
    V
    R
    =0 V
    RSH
    V
    R
    =0 V
    I
    D
    V
    R
    -10毫伏
    R
    L
    =1 kΩ
    T
    CID
    F = 10千赫
    (µs)
    5
    10
    30
    NEP
    型号
    G1961
    G1962
    190到550
    440
    G1963
    *窗口材料Q ：石英玻璃
    Hg
    LINE
    400纳米
    λp
    分钟。
    254纳米
    (µA)
    0.04
    0.12 0.03
    0.1 0.23
    0.75
    典型值。
    V
    4
    -10毫伏
    （ μA ） （ PA）
    0.05 2.5
    0.3
    5
    0.9 10
    V
    4
    =1 V
    （ PA ）
    （次/ ℃）
    25
    50
    1.11
    100
    MIN 。 TYP 。
    （PF ） （ GΩ ） （ GΩ ） （ W / Hz的
    1/2
    )
    400
    4
    40 5.4 × 10
    -15
    1500
    2
    20 7.6 × 10
    -15
    5000
    1
    1 1.1 × 10
    -14

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