G5851-103 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G5851-103
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内容描述：	砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用：	光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 134 K
品牌：	HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]

光电二极管

砷化铟镓PIN光电二极管

G8421 / G8371 / G5851系列

长波长类型

特点

应用

长截止波长： 1.9微米

光功率计

3引脚TO- 18封装：价格低

气体分析仪

热电冷却TO- 18封装：低暗电流

NIR （近红外）测光

活动区域：

φ0.3

φ3

附件（可选）

规格/绝对最大额定值

迪mensional

外形/

包

窗口

材料

➀

➁

➂

活跃

区域

(mm)

φ0.3

φ0.5

φ1

φ3

φ0.3

φ1

φ3

φ0.3

φ1

φ3

散热片为1级的TE冷却型A3179

散热片为两阶段的TE冷式A3179-01

温度控制器TE冷却型C1103-04

热敏电阻

动力

耗散

（ mW）的

绝对最大额定值

存储

TE冷却器反向操作

允许电压温度温度

TOPR

TSTG

当前

(A)

(V)

(°C)

型号

冷却

G8421-03

G8421-05

G8371-01

G8371-03

G5851-103

G5851-11

G5851-13

G5851-203

G5851-21

G5851-23

TO-18

TO-5

TO-8

非冷却

-40至+85

-55到+125

一期

TE冷却

两级

TE冷却

1.5

0.2

1.0

-40到+70

-55到+85

➃

TO-8

电学和光学特性（典型值，除非另有说明）

M easure换货

PEAK

光谱

PHOTO

条件

响应灵敏度灵敏度

波长

范围

元素

温度

λp

λ=λp

(°C)

G8421-03

G8421-05

G8371-01

G8371-03

G5851-103

G5851-11

G5851-13

G5851-203

G5851-21

G5851-23

(µm)

0.9〜 1.9

(µm)

MIN 。 TYP 。

（ A / W）（ A / W）

暗电流

=1 V

典型值。

（ nA的）

100

2000

200

1.5

100

截止

频率

=1 V

=50

Ω

-3分贝

马克斯。

（兆赫）

（ nA的）

300

100

500

1000

20000

100

2000

100

1000

终奌站

电容并联

阻力

RSH

=1 V V

= 10 M·V

F = 1 MHz的

（PF ）

800

(MΩ)

1.5

0.5

0.05

0.5

∗

λ=λp

NEP

λ=λp

型号

-10

0.9〜 1.87

1.75

0.9

1.1

-20

0.9〜 1.85

（ C M ·赫兹

1/2

/ W）（W / Hz的

1/2

)

9 × 10

-14

1.5 × 10

-13

5 × 10

2 × 10

-13

8 × 10

-13

3 × 10

-14

1.5 × 10

6 × 10

-14

2 × 10

-13

2 × 10

-14

2.5 × 10

4 × 10

-14

1.5 × 10

-13

在使用G8421 / G8371 / G5851系列可通过静电放电等损坏要当心

G8421 / G8371 / G5851系列。

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