G5852-13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G5852-13
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内容描述：	砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用：	光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 257 K
品牌：	HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]

砷化铟镓PIN光电二极管

光谱响应

（典型值）。

1.4

1.2

T为25 ˚C

G8422 / G8372 / G5852系列

照片灵敏度温度特性

（典型值）。

1.0

0.8

温度COEF网络cient

(%/˚C)

照片灵敏度

（ A / W）

0.6

0.4

0.2

T = -10℃

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

T = -20℃

-1

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

2.2 2.4

2.6

波长

(µm)

KIRDB0226EA

波长

(µm)

KIRDB0207EA

暗电流与反向电压

非冷却型

100

µA

（典型值TA = 25

˚C

)

µA

TE冷式

（典型值）。

µA

G8372-03

100 nA的

G5852-13 （T = -10℃ ）

G5852-23 （T = -20℃）

暗电流

µA

G8372-01

10 nA的

G5852-11 （T = -10℃ ）

G5852-21 （T = -20℃）

G8422-05

100 nA的

G8422-03

10 pA的

0.01

G5852-103 （T = -10℃ ）

1 nA的

G5852-203 （T = -20℃）

0.1

100 pA的

0.01

0.1

反向电压（ V）

KIRDB0235EA

反向电压（ V）

KIRDB0228EA

终端电容与反向电压

10 nF的

（典型的Ta = 25℃， F = 1兆赫）

分流电阻与元件温度

10 MΩ

（典型值V

= 10毫伏）

G8422-03

G5852-103/-203

1 MΩ

G8372-03

G5852-13/-23

终端电容

分流电阻

1 nF的

G8372-01

G5852-11/-21

100 pF的

G8422-05

100 kΩ

G8372-01

G5852-11/-21

10 kΩ

G8372-03

G5852-13/-23

1 kΩ

10 pF的

G8422-05

G8422-03

G5852-103/-203

1 pF的

0.01

0.1

100

Ω

-40

-20

100

反向电压（ V）

KIRDB0236EA

元温度（℃）

KIRDB0237EA

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