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G5852-21 参数 Datasheet PDF下载

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型号: G5852-21
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内容描述: 砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用: 半导体光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 257 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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光电二极管
砷化铟镓PIN光电二极管
G8422 / G8372 / G5852系列
长波长类型(最多到2.1微米)
特点
应用
l
截止波长: 2.1微米
l
3引脚TO- 18封装:价格低
l
TE冷却型TO- 8封装:低暗电流
l
活动区域:
B
0.3〜
B
3 mm
s
规格/绝对最大额定值
昏暗的ensional
概要
活跃
区域
(mm)
φ0.3
φ0.5
φ1
φ3
φ0.3
φ1
φ3
φ0.3
φ1
φ3
l
气体分析仪
l
水分测定仪
l
NIR (近红外)测光
型号
冷却
绝对最大额定值
热敏电阻器TE冷却器反向操作
存储
动力
允许电压温度温度
耗散
TOPR
当前
TSTG
V
R
( mW)的
(A)
(V)
(°C)
(°C)
G8422-03
G8422-05
G8372-01
G8372-03
G5852-103
G5852-11
G5852-13
G5852-203
G5852-21
G5852-23
TO-18
TO-5
TO-8
非冷却
-
-
-40至+85
-55到+125
一期
TE冷却
两级
TE冷却
1.5
0.2
1.0
2
-40到+70
-55到+85
TO-8
s
电学和光学特性(典型值,除非另有说明)
测量
光谱
PEAK
PHOTO
条件
响应灵敏度灵敏度
元素
范围W avelen GTH
S
tem温度
λ
λp
λ=λp
T
(°C)
G8422-03
G8422-05
G8372-01
G8372-03
G5852-103
G5852-11
G5852-13
G5852-203
G5852-21
G5852-23
25
(µm)
0.9〜 2.1
(µm)
( A / W)
暗电流
I
D
R
=1 V
V
典型值。
马克斯。
( nA的)
( nA的)
55
550
125
1250
500
5000
5 (µA) 50 (µA)
5.5
55
50
500
500
5000
3
30
25
250
250
2500
截止
频率uenc ÿ
fc
V
R
=1 V
R
L
=50
(兆赫)
100
80
40
3
100
40
3
100
40
3
终奌站
分流
电容
阻力
Ct
RSH
V
R
=1 V
V
R
= 10 M·V
F = 1 MHz的
(PF )
8
20
80
800
8
80
800
8
80
800
(MΩ)
0.9
0.3
0.1
0.01
9
1
0.1
18
2
0.2
D
λ=λp
NEP
λ=λp
型号
-10
0.9〜 2.07
1.95
1.2
-20
0.9〜 2.05
(厘米·H ž
1/2
/ W) (W / Hz的
1/2
)
1.5 × 10
-13
2.5 × 10
-13
2.5 × 10
11
4 × 10
-13
1.5 × 10
-12
5 × 10
-14
8 × 10
11
1 × 10
-13
4 × 10
-13
3 × 10
-14
1.2 × 10
12
8 × 10
-14
3 × 10
-13
1