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G6742-01 参数 Datasheet PDF下载

G6742-01图片预览
型号: G6742-01
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内容描述: 砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 338 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
 浏览型号G6742-01的Datasheet PDF文件第2页  
光电二极管
砷化铟镓PIN光电二极管
G6742系列
表面贴装型
特点
应用
l
小芯片载体封装
l
高可靠性
l
低价格
l
激光二极管显示器
s
通用等级
活动区域
参数
G6742-003
陶瓷基地
φ0.3
G6742-003
20
-40 〜+ 85 *
-55 〜+ 125 *
G6742-01
φ1.0
G6742-01
10
单位
-
mm
单位
V
°C
°C
s
绝对最大额定值
参数
符号
反向电压
V
R
马克斯。
操作
TOPR
温度
储存温度
TSTG
*无凝结
s
电气和光学特性(Ta = 25
°C)
参数
光谱响应
范围
峰值灵敏度
波长
照片灵敏度
暗电流
截止频率
终奌站
电容
分流电阻
探测
噪声等效
动力
符号
λ
λp
S
I
D
fc
Ct
RSH
D
NEP
λ=1.3
µm
λ=1.55
µm
V
R
=5 V
V
R
= 5 V ,R
L
=50
-3分贝
F = 1 MHz的
V
R
=5 V
V
R
-10毫伏
λ=λp
λ=λp
条件
分钟。
-
-
0.8
0.85
-
-
-
-
-
-
G6742-003
典型值。
0.9〜 1.7
1.55
0.9
0.95
0.3
300
10
1000
5 × 10
12
4 × 10
-15
马克斯。
-
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
分钟。
-
-
0.8
0.85
-
-
-
-
-
-
G6742-01
典型值。
0.9〜 1.7
1.55
0.9
0.95
1
35
90
100
5 × 10
12
2 × 10
-14
马克斯。
-
-
-
-
5
-
-
-
-
-
单位
µm
µm
/ W
nA
兆赫
pF
MΩ
厘米·赫兹
1/2
/W
W / Hz的
1/2