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G7150-16 参数 Datasheet PDF下载

G7150-16图片预览
型号: G7150-16
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内容描述: 砷化铟镓PIN光电二极管阵列 [InGaAs PIN photodiode array]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 108 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
 浏览型号G7150-16的Datasheet PDF文件第2页  
光电二极管
砷化铟镓PIN光电二极管阵列
G7150/G7151-16
16个元素的数组
特点
应用
l
16个元素的数组
l
对于简单的测量
l
近红外( NIR )光谱仪
s
通用等级
参数
活动区域
G7150-16
DIP
0.45 × 1 ( × 16元)
0.08 × 0.2 ( × 16元)
G7151-16
单位
-
mm
s
绝对最大额定值(Ta = 25
°C)
参数
反向电压
工作温度
储存温度
*无凝结
符号
V
R
TOPR
TSTG
价值
5
-25至+70 *
-25至+70 *
单位
V
°C
°C
s
电气和光学特性(Ta = 25
°C,
每1元)
参数
光谱响应范围
峰值灵敏度波长
照片灵敏度
暗电流
截止频率
终端电容
分流电阻
探测
噪声等效功率
符号
λ
λp
S
I
D
fc
Ct
RSH
D
NEP
λ=1.3
µm
λ=1.55
µm
V
R
=1 V
V
R
= 1 V ,R
L
=50
λ=1.3
微米, -3分贝
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
V
R
-10毫伏
λ=λp
λ=λp
条件
分钟。
-
-
0.8
0.85
-
-
-
-
-
-
G7150-16
典型值。
0.9〜 1.7
1.55
0.9
0.95
5
30
100
100
5 × 10
12
2 × 10
-14
马克斯。
-
-
-
-
25
-
-
-
-
-
分钟。
-
-
0.8
0.85
-
-
-
-
-
-
G7151-16
典型值。
0.9〜 1.7
1.55
0.9
0.95
0.2
300
10
1000
5 × 10
12
3 × 10
-15
马克斯。
-
-
-
-
1
-
-
-
-
-
单位
µm
µm
/ W
nA
兆赫
pF
MΩ
厘米·赫兹
1/2
/W
W / Hz的
1/2
使用G7150 / G7151-16当G7150 / G7151-16可以通过静电放电等损坏要当心。
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