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G8370-82 参数 Datasheet PDF下载

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型号: G8370-82
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内容描述: 砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用: 半导体光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 109 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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光电二极管
砷化铟镓PIN光电二极管
G8370-81/-82/-83/-85
低PDL (偏振相关损耗)
砷化铟镓PIN光电二极管G8370-81 / -82 / -83 / -85具有低PDL (偏振相关损耗), 1.55微米,大的分流电阻和极低
噪声。滨松提供各类的InGaAs PIN光电二极管与活跃的地区
φ1
to
φ5
mm.
特点
应用
l
低PDL (偏振相关损耗)
l
低噪音,低暗电流
l
大有效面积
l
不同的活动区域尺寸可供选择
l
激光显示器
l
光功率计
l
激光二极管的寿命试验
s
规格/绝对最大额定值
尺寸的
外形/
窗口
材料*
1
➀/K
➁/K
➂/K
活动区域
(mm)
φ1
φ2
φ3
φ5
绝对最大额定值
反向
操作
存储
电压
温度
温度
V
R
马克斯。
TOPR
TSTG
(V)
(°C)
(°C)
5
2
1
-40至+85
-55到+125
型号
G8370-81
G8370-82
G8370-83
G8370-85
TO-18
TO-5
TO-8
s
电气和光学特性(典型值TA = 25 ℃,除非另有说明)
PEAK
光谱
灵敏度
响应
波长
范围
λp
PHOTO
灵敏度
S
黑暗
当前
I
D
V
R
=1 V
Ç UT客
终奌站
频率
分流
电容
fc
阻力
Ct
V
R
=1 V
RSH
V
R
=1 V
R
L
= 50
V
R
-10毫伏
F = 1 M·H ž
-3分贝
D
λ=λp
型号
PDL
λ=λp
NEP
λ=λp
1.3 µm
λ=λp
分钟。典型值。分钟。典型值。典型值。马克斯。
典型值。马克斯。
(µm)
(微米) (A / W) ( A / W) ( A / W) ( A / W) ( NA) ( NA) (兆赫)
(PF )
( MΩ ) ( MDB ) ( MDB ) (厘米·赫兹
1/2
/W)
G8370-81
1
5
35
90
100
4
550
G8370-82
5
25
25
5
10 5 × 10
12
0.9〜 1.7 1.55 0.8 0.9 0.85 1.1
2
1000
G8370-83
15 75
10
0.6
3500
3
G8370-85
25 *
2
125 *
2
* 1 :窗材料K :硼硅酸盐玻璃具有防反射涂层(对于1.55微米的峰值优化)
*2: V
R
=0.1 V
(W / Hz的
1/2
)
2 × 10
-14
4 × 10
-14
6 × 10
-14
1 × 10
-13
1