G8373-03 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G8373-03
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内容描述：	砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用：	光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 262 K
品牌：	HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]

光电二极管

砷化铟镓PIN光电二极管

G8423 / G8373 / G5853系列

长波长类型（最多到2.6微米）

特点

应用

长截止波长为2.6微米

气体分析

3引脚TO- 18封装：价格低

分光光度计

热电冷却TO- 8封装：低暗电流

NIR （近红外）测光

活动区域：

φ0.3

φ3

规格/绝对最大额定值

ð IM ensional

包

概要

活跃

区域

(mm)

φ0.3

φ0.5

φ1

φ3

φ0.3

φ1

φ3

φ0.3

φ1

φ3

绝对最大额定值

热敏电阻器TE冷却器反向操作

存储

动力

允许电压温度温度

耗散

TOPR

当前

TSTG

（ mW）的

(A)

(V)

(°C)

型号

冷却

G8423-03

G8423-05

G8373-01

G8373-03

G5853-103

G5853-11

G5853-13

G5853-203

G5853-21

G5853-23

➀

➁

➂

TO-18

TO-5

TO-8

非冷却

-40至+85

-55到+125

一期

TE冷却

两级

TE冷却

1.5

0.2

1.0

-40到+70

-55到+85

➃

TO-8

电学和光学特性（典型值，除非另有说明）

测量

光谱

PHOTO

PEAK

条件

响应本身nsitivity灵敏度

范围W一个已经len个GTH

元素

tem温度

λp

λ=λp

(°C)

G8423-03

G8423-05

G8373-01

G8373-03

G5853-103

G5853-11

G5853-13

G5853-203

G5853-21

G5853-23

(µm)

1.2〜 2.6

(µm)

（ A / W）

暗电流

=1 V

典型值。

(µA)

150

0.2

1.5

0.1

0.8

7.5

马克斯。

(µA)

1500

7.5

150

截止

频率UE NCY

=1 V

=50

Ω

-3分贝

（兆赫）

1.5

终奌站

分流

电容

再SISTA NCE

RSH

=1 V

= 10 M·V

F = 1 MHz的

（PF ）

200

1800

200

1800

200

1800

(kΩ)

0.3

300

600

∗

λ=λp

NEP

λ=λp

型号

-10

1.2〜 2.57

2.3

1.1

-20

1.2〜 2.55

（厘米·H ž

1/2

/ W）（W / Hz的

1/2

)

7 × 10

-13

1 × 10

-12

5 × 10

2 × 10

-12

8 × 10

-12

3 × 10

-13

1 × 10

7 × 10

-13

2 × 10

-12

2 × 10

-13

2 × 10

5 × 10

-13

1.8 × 10

-12

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