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G8376-05 参数 Datasheet PDF下载

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型号: G8376-05
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内容描述: 砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用: 半导体光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 218 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
 浏览型号G8376-05的Datasheet PDF文件第2页  
光电二极管
砷化铟镓PIN光电二极管
G8376系列
标准型
的InGaAs PIN光电二极管NIR (近红外)探测器配备高速响应和低噪音。不同的活动区域大小
提供,以满足广泛的应用。
特点
应用
l
低噪音,低暗电流
l
低容量终端
l
3引脚TO- 18封装
l
NIR (近红外)测光
l
光通信
s
规格/绝对最大额定值
活动区域
(mm)
φ0.04
φ0.08
φ0.3
φ0.5
绝对最大额定值
操作
反向
存储
温度
电压
温度
R
TOPR
V
TSTG
(V)
(°C)
(°C)
型号
窗口材料
G8376-01
G8376-02
G8376-03
G8376-05
B orosilicate玻璃
带防反射
涂料(优化
为1.55 μ米的峰值)
TO-18
20
-40至+85
-55到+125
s
电气和光学特性(典型值TA = 25 ℃,除非另有说明)
光谱
响应
范围
PEAK
灵敏度
波长
λp
(µm)
1.55
牛逼呃minal
截止
分流
高频电容
PHOTO
NEP
阻力
D
fc
Ct
灵敏度
RSH
λ=λp
λ=λp
V
R
=2 V
S
V
R
=5 V
V
R
-10毫伏
F = 1 MHz的
R
L
=50
-3分贝
1.3 µm
λ=λp
典型值。马克斯。
( C M ·赫兹
1/2
/ W) (W / Hz的
1/2
)
(兆赫)
(PF )
( A / W) ( A / W) ( NA) ( NA)
(MΩ)
0.06 0.3
3000
0.5
10000
2 × 10
-15
0.08 0.4
2000
1
8000
2 × 10
-15
12
0.9
0.95
5 × 10
400 *
5
1000
0.3 1.5
4 × 10
-15
200 *
12
300
0.5 2.5
8 × 10
-15
黑暗
当前
I
D
V
R
=5 V
型号
(µm)
G8376-01
G8376-02
G8376-03
G8376-05
* V
R
=5 V
0.9〜 1.7
1