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    G8421 参数 Datasheet PDF下载

    G8421图片预览
    型号： G8421
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
    分类和应用： 光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 169 K
    品牌： HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
     浏览型号G8421的Datasheet PDF文件第2页浏览型号G8421的Datasheet PDF文件第3页浏览型号G8421的Datasheet PDF文件第4页  
    光电二极管
    砷化铟镓PIN光电二极管
    G8421 / G8371 / G5851系列
    长波长类型
    特点
    应用
    l
    长截止波长： 1.9微米
    l
    光功率计
    l
    3引脚TO- 18封装：价格低
    l
    气体分析仪
    l
    热电冷却TO- 18封装：低暗电流
    l
    NIR （近红外）测光
    l
    活动区域：
    φ0.3
    to
    φ3
    mm
    I
    规格/绝对最大额定值
    型号
    尺寸的
    外形/
    包
    窗口
    材料
    ➀
    ➁
    ➂
    TO-18
    TO-5
    TO-8
    一期
    TE冷却
    两级
    TE冷却
    冷却
    活跃
    区域
    (mm)
    f0.3
    f0.5
    f1
    f3
    f0.3
    f1
    f3
    f0.3
    f1
    f3
    绝对最大额定值
    热敏电阻器TE冷却器反向操作
    存储
    动力
    允许电压温度温度
    耗散
    TOPR
    当前
    TSTG
    V
    R
    （ mW）的
    (A)
    (V)
    (°C)
    (°C)
    -
    -
    -40至+85
    -55到+125
    G8421-03
    G8421-05
    G8371-01
    G8371-03
    G5851-103
    G5851-11
    G5851-13
    G5851-203
    G5851-21
    G5851-23
    非冷却
    1.5
    0.2
    1.0
    2
    -40到+70
    -55到+85
    ➃
    TO-8
    I
    电学和光学特性（典型值，除非另有说明）
    测量
    光谱
    PEAK
    PHOTO
    条件
    响应
    灵敏度
    灵敏度
    范围
    S
    波长
    元素
    l
    lp
    L = LP
    温度
    (°C)
    G8421-03
    G8421-05
    G8371-01
    G8371-03
    G5851-103
    G5851-11
    G5851-13
    G5851-203
    G5851-21
    G5851-23
    25
    (µm)
    0.9〜 1.9
    (µm)
    （ A / W）
    暗电流
    I
    D
    V
    R
    =1 V
    典型值。
    （ nA的）
    30
    50
    100
    2000
    3
    10
    200
    1.5
    5
    100
    型号
    -10
    0.9〜 1.87
    1.75
    1.1
    -20
    0.9〜 1.85
    截止
    频率
    fc
    V
    R
    =1 V
    R
    L
    =50
    W
    -3分贝
    马克斯。
    （兆赫）
    （ nA的）
    300
    100
    500
    80
    1000
    40
    20000
    3
    30
    100
    100
    40
    2000
    3
    15
    100
    50
    40
    1000
    3
    终奌站
    分流
    电容
    阻力
    Ct
    RSH
    V
    R
    =1 V
    V
    4
    -10毫伏
    F = 1 MHz的
    （PF ）
    8
    20
    80
    800
    8
    80
    800
    8
    80
    800
    （ mW）的
    1.5
    1
    0.5
    0.05
    15
    5
    0.5
    35
    10
    1
    D
    *
    L = LP
    NEP
    L = LP
    （厘米·赫兹
    1/2
    /W)
    （W / Hz的
    1/2
    )
    9 × 10
    -14
    1.5 × 10
    -13
    5 × 10
    11
    2 × 10
    -13
    8 × 10
    -13
    3 × 10
    -14
    1.5 × 10
    12
    6 × 10
    -14
    2 × 10
    -13
    2 × 10
    -14
    2.5 × 10
    12
    4 × 10
    -14
    1.5 × 10
    -13
    1

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