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G8522-02 参数 Datasheet PDF下载

G8522-02图片预览
型号: G8522-02
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内容描述: 砷化镓PIN光电二极管 [GaAs PIN photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 105 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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光电二极管
砷化镓PIN光电二极管
G8522系列
在低反向电压的高速响应
G8522系列光通信研发的高速PIN光电二极管和有能力千兆赫(千兆赫)的操作,即使在低
反向电压( 2V或更小)。请与您的具体需求请联系我们的销售办事处。
特点
应用
l
在低反向电压的高速响应
G8522-01 : 3 GHz的最小值。 (V
R
=2 V)
G8522-02 : 1.9 GHz的最小值。 (V
R
=2 V)
G8522-03 : 1.5 GHz的最小值。 (V
R
=2 V)
l
低噪音,低暗电流
l
低容量终端
l
光纤通信
l
光纤通道
l
千兆以太网
s
绝对最大额定值(Ta = 25
°C)
参数
符号
反向电压V
R
马克斯。
操作
TOPR
温度
存储
TSTG
温度
价值
30
-40至+85
-55到+125
单位
V
°C
°C
s
电气和光学特性(Ta = 25
°C)
参数
有源区尺寸
光谱
响应范围
峰值灵敏度
波长
照片灵敏度
暗电流
终奌站
电容
截止
频率
符号
-
λ
λp
S
I
D
Ct
fc
λ=850
nm
V
R
=5 V
V
R
= 2 V , F = 1兆赫
V
R
= 2 V ,R
L
=50
λ=850
纳米, -3分贝
条件
G8522-01
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
φ40
470〜
-
-
870
-
0.45
-
-
3
850
0.5
2
0.3
-
-
-
50
0.45
-
G8522-02
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
φ80
470〜
-
-
870
-
0.45
-
-
1.9
850
0.5
8
0.45
-
-
-
200
0.65
-
0.45
-
-
1.5
G8522-03
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
φ120
470〜
-
870
850
0.5
20
0.8
-
-
-
500
1.2
-
单位
µm
nm
nm
/ W
pA
pF
GHz的
1