G8909-01 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G8909-01
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内容描述：	砷化铟镓PIN光电二极管阵列 [InGaAs PIN photodiode array]
分类和应用：	光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 112 K
品牌：	HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]

光电二极管

砷化铟镓PIN光电二极管阵列

G8909-01

光电二极管阵列，用于DWDM监控

特点

应用

250微米间距， 40通道并行读出

低串音

精确的芯片位置公差： ± 0.05毫米

DWDM显示器AWG

通用等级

活动区域

像素间距

元素个数

参数

价值

f0.08

250

符号

最大

马克斯。

TOPR

TSTG

备注

价值

-40至+85

单位

µm

单位

°C

绝对最大额定值

参数

反向电压

允许的输入功率

工作温度

储存温度

*在N环境或真空

参数

光谱响应范围

照片灵敏度

光致响应非均匀性

暗电流

分流电阻

终端电容

串扰

电气和光学特性（Ta = 25°C ，每1元）

符号

PRNU

RSH

条件

l=1.31

µm

l=1.55

µm

=5 V

-10毫伏

= 5 V ， F = 1兆赫

=0.1 V

分钟。

0.8

0.85

典型值。

0.9〜 1.7

0.9

0.95

0.02

1.4

-33

马克斯。

±5

0.2

单位

µm

/ W

初步数据

2002年4月

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