光电二极管
砷化铟镓APD
G8931-04
与SONET和G / GE- PON兼容的时间响应特性
G8931-04是由InGaAs APD的，可提供所需的干线光纤通信，如SONET 2.5Gbps的高速响应
（同步光纤网络） ，G - PON （千兆比特容量无源光网络）和GE -PON （千兆位以太网无源光网络） 。
特点
应用
l
高速响应： 2.5 Gbps的
l
低暗电流
l
低电容
l
活动区域：
φ0.04
mm
l
高灵敏度
s
通用等级
参数
活动区域
符号
-
l
光纤通信
l
高速数据链接
价值
φ0.04
单位
mm
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电流
工作温度
储存温度
符号
I
F
I
R
TOPR
TSTG
价值
2
500
-40至+85
-55到+125
单位
mA
µA
°C
°C
s
电气和光学特性（Ta = 25 ° C）
参数
光谱响应范围
峰值灵敏度波长
照片灵敏度
击穿电压
V温度COEF网络cient
BR
暗电流
截止频率
终端电容
符号
λ
λp
S
V
BR
Γ
I
D
fc
Ct
条件
分钟。
-
-
0.8
40
-
-
3
-
典型值。
0.9〜 1.7
1.55
0.9
-
0.11
40
4
0.35
马克斯。
-
-
-
60
0.16
65
-
0.45
单位
µm
µm
/ W
V
V /°C的
nA
GHz的
pF
λ=1.55
µm, M=1
I
D
=100 µA
-40至+85 ºC
V
R
=V
BR
× 0.9
M=10
V
R
=V
BR
× 0.9
F = 1 MHz的
s
光谱响应
1.0
（典型值TA = 25℃， M = 1 ）
s
暗电流与反向电压
1毫安
（典型值TA = 25℃）
暗电流，光电流
100 µA
光
10 µA
1 µA
100 nA的
10 nA的
暗电流
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
0
10
20
30
40
50
照片灵敏度（ A / W）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
波长（ μm）的
KAPDB0120EA
反向电压（ V）
KAPDB0123EA
1
HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
