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G9906-01 参数 Datasheet PDF下载

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型号: G9906-01
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内容描述: 砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 62 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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光电二极管
砷化铟镓PIN光电二极管
G9906-01
小包装的InGaAs PIN光电二极管的C-L波段
G9906-01是的InGaAs PIN光电二极管的设计,以减少温度在CL波段的光的灵敏度依赖。它有一个活跃
面积
φ0.3
毫米,装在一个微型封装使其非常适用于更小的模块使用。
特点
应用
l
C-L波段的温度依赖性:
±0.2分贝( -10 °C至+ 85°C )
l
小型封装
l
低暗电流: 0.5 nA的最大。 (V
R
=5 V)
l
C-L波段显示器
s
绝对最大额定值(Ta = 25
°C)
参数
反向电压
正向电流
工作温度
储存温度
符号
V
R
马克斯。
I
F
TOPR
TSTG
条件
价值
20
10
-10至+85
-55到+125
单位
V
mA
°C
°C
无冷凝
无冷凝
s
电气和光学特性(Ta = 25
°C)
参数
活动区域
光谱响应范围
峰值灵敏度波长
照片灵敏度
光响应均匀性
暗电流
截止频率
终端电容
分流电阻
探测
噪声等效功率
线性
符号
-
λ
λp
S
-
I
D
fc
Ct
RSH
D*
NEP
-
λ=1.3
µm
λ=λp
λ=1.53
到1.62微米,
T = -10 〜85
°C
V
R
=5 V
V
R
= 5 V ,R
L
=50
-3dB
V
R
= 5 V , F = 1兆赫
V
R
-10毫伏
λ=λp
λ=λp
V
R
= 5 V ,R
L
=2
-55到+10 dBm的
条件
10%或更多的
峰值灵敏度
分钟。
-
-
-
0.8
0.85
-0.2
-
-
-
-
-
-
-0.15
典型值。
φ0.3
0.9〜 1.7
1.55
0.9
0.95
-
0.2
500
6
1000
5
×
10
12
4
×
10
-15
-
马克斯。
-
-
-
-
-
+0.2
0.5
-
8
-
-
-
+0.15
单位
mm
µm
µm
/ W
dB
nA
兆赫
pF
MΩ
厘米·赫兹
1/2
/W
W / Hz的
1/2
dB
1