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P10090-01 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P10090-01
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内容描述: 砷化铟光电探测器 [InAs photovoltaic detector]
分类和应用: 光电
文件页数/大小: 4 页 / 72 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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砷化铟光电探测器
s
光谱响应( D * )
10
11
P10090-21 (T = -30 ℃)
1.2
10
10
(典型值)。
P10090系列
(典型值)。
s
光谱响应
1.4
照片灵敏度( A / W)
1.0
0.8
T = -10℃
0.6
T = -30℃
0.4
0.2
D * (厘米·赫兹
1/2
/W)
10
9
P10090-11
(T = -10℃ )
P10090-01
(T = 25℃)
10
8
T为25 ˚C
10
7
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
波长( μm)的
KIRDB0356EB
波长( μm)的
KIRDB0381EA
s
暗电流与反向电压
1毫安
T为25 ˚C
(典型值)。
s
分流电阻与元件温度
100 kΩ
(典型值)。
10 kΩ
100 µA
T = -10℃
分流电阻
暗电流
1 kΩ
T = -30℃
10 µA
100
10
1 µA
0.01
0.1
1
1
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
反向电压( V)
KIRDB0382EA
元温度(℃)
KIRDB0383EA
s
线性
1000
(典型值TA = 25℃,
λ=1.3
µm)
s
灵敏度均匀性
110
100
(典型值。
λ=1.55
µm)
T = -10℃
光输出功率( μA )
相对灵敏度( % )
90
T = 10 ˚C
80
T为25 ˚C
70
60
50
40
30
100
10
1
1
10
100
1000
10000
20
-600
-400
-200
0
200
400
600
入射光LEVEL ( μW )
KIRDB0384EA
定位在有源区(微米)
KIRDB0385EA
2