光电二极管
硅光电二极管
S1226系列
对于紫外到可见光，精密测光;抑制红外线灵敏度
特点
应用
l
高UV灵敏度： QE 75 ％ （ λ = 200纳米）
l
抑制红外线灵敏度
l
低暗电流
l
高可靠性
l
分析设备
l
光学测量设备等。
s
通用等级/绝对最大额定值
型号
尺寸的
外形/
窗口
材料*
➀/Q
➀/K
➁/Q
➁/K
➁/Q
➁/K
➂/Q
➂/K
包
(mm)
TO-18
活跃
区大小
(mm)
1.1 × 1.1
2.4 × 2.4
TO-5
3.6 × 3.6
TO-8
5.8 × 5.8
13
33
有效
活动区域
(mm
2
)
1.2
5.7
绝对最大额定值
操作
存储
反向
温度
温度
电压
TOPR
TSTG
V
R
马克斯。
(V)
(°C)
(°C)
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
5
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
S1226-18BQ
S1226-18BK
S1226-5BQ
S1226-5BK
S1226-44BQ
S1226-44BK
S1226-8BQ
S1226-8BK
s
电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）
PEAK
光谱敏感
响应tivity
波长范围
长
λ
λp
照片灵敏度
S
（ A / W）
λp
200纳米
短路
黑暗
当前
当前
ISC
I
D
100
lx
V = 10 M·V
R
氦氖
分钟。典型值。马克斯。
激光
(µA) (µA)
0.5
2.2
4.4
12
0.66
2.9
5.9
16
（ PA ）
2
5
1.12
10
20
1
2
380
950
1
10 3.6 × 10
-15
终奌站
温度。
上升时间电容并联
coeffi-
tr
tance性
cient
NEP
V
R
=0 V
Ct
RSH
我
D
R
L
= 1千欧V
R
=0 V V
R
-10毫伏
T
CID
F = 10千赫
MIN 。 TYP 。
（次/ ℃）（ μs）内
（PF ） （ GΩ ） （ GΩ ） （ W / Hz的
1/2
)
0.15
0.5
35
160
5
2
50 1.6 × 10
-15
20 2.5 × 10
-15
型号
分钟。典型值。 633纳米
（纳米）
（纳米）
190 〜1000
S1226-18BQ
0.10 0.12
320 〜1000
S1226-18BK
-
-
190 〜1000
S1226-5BQ
0.10 0.12
320 〜1000
S1226-5BK
-
-
720 0.36
0.34
190 〜1000
S1226-44BQ
0.10 0.12
320 〜1000
S1226-44BK
-
-
190 〜1000
S1226-8BQ
0.10 0.12
320 〜1000
S1226-8BK
-
-
*窗的材料， K：高硼硅玻璃，问：石英玻璃
0.5 5 5.0 × 10
-15
1
HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
