光电二极管
硅APD
S2381到S2385 ， S5139 ， S8611 ， S3884
低偏压操作时，对于800nm的波段
特点
应用
l
在低偏压稳定运行
l
高速响应
l
高灵敏度和低噪声
s
通用等级/绝对最大额定值
尺寸的
外形/
窗口
材料*
1
➀/K
➁/L
➂/L
➀/K
➃/K
➄/K
➅/K
TO-5
TO-8
TO-18
l
空间光传输
l
测距仪
型号
包
活动区域*
2
SIZE
(mm)
φ0.2
φ0.5
φ1.0
φ1.5
φ3.0
φ5.0
有效活性
区域
(mm
2
)
0.03
0.19
0.78
1.77
7.0
19.6
绝对最大额定值
存储
操作
温度
温度
TSTG
TOPR
(°C)
(°C)
S2381
S2382
S5139
S8611
S2383
S2383-10 *
3
S3884
S2384
S2385
-20至+85
-55到+125
s
电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）
过量
PHOTO
量子裂痕做W N
截止*
4
黑暗
谱峰*
4
温度。
4
终奌站*
收益
噪音
灵敏度的电压效率
当前系数*
4
频率
响应灵敏度
电容图*
4
V
BR
M
S
QE
I
D
波长范围
of
fc
I
D
=100 µA
Ct
λ=800
nm
x
M=1
M=1
型号
V
BR
R
L
=50
Ω
λp
λ
λ=800
nm
λ=800
nm
λ=800
nm
典型值。马克斯。
(V) (V)
典型值。马克斯。
（NA） （NA）
0.05 0.5
（纳米）
（纳米）
（ A / W）
(%)
（ V / ° C）
S2381
S2382
0.1
1
900
3
S5139
S8611
400至1000
800
0.5
75
150 200
0.65
0.3
S2383
0.2
2
600
6
3
S2383-10 *
S3884
0.5
5
400
10
S2384
1
10
120
40
3
30
40
95
S2385
* 1 ：窗口材料K ：高硼硅玻璃， L：镜头类型硼硅玻璃
* 2：在其中可以得到一个典型的增益有源区
* 3：这是S2383的一个变体，其中所述器件芯片是光屏蔽由铝涂层除了有源区
* 4 ：条件，该设备在规格表中列出的增益操作下测
注）以下不同的击穿电压范围是可用的。
S2381 ， S2382 ， S5139 ， S8611 ， S3884 ： -01 （80至120伏） -02 （120至160 V） -03 （ 160〜 200伏）
S2381-10 ： -10A （80至120伏） ，唑基硫代（120至160 V）中， -10℃ （ 160〜 200伏）
（兆赫）
1000
（PF ）
1.5
100
60
40
1
HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
