硅APD
s
光谱响应
0.7
0.6
（典型值TA = 25℃）
S4402
s
暗电流与反向电压
100 nA的
（典型值TA = 25℃）
照片灵敏度（ A / W）
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
暗电流
400
600
800
1000
0.5
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10 pA的
0
50
100
150
200
波长（nm ）
KAPDB0046EA
反向电压
(V)
KAPDB0047EA
s
终端电容与反向电压
1 nF的
（典型的Ta = 25℃， F = 1兆赫）
s
增益与反向电压
10
3
（典型值TA = 25℃）
终端电容
10
2
100 pF的
收益
10 pF的
1 pF的
-2
10
-1
0
1
2
3
10
1
10
0
10
10
10
10
10
10
-1
0
50
100
150
200
反向电压
(V)
KAPDB0048EA
反向电压
(V)
KAPDB0049EA
s
串扰的例子
100
（ TA = 25℃ ，
λ=800
纳米， M = 100）
s
外形尺寸（单位：毫米）
窗口
3.0分钟。
9.2 ± 0.2
8.2 ± 0.1
相对灵敏度（ ％ ）
4.6 ± 0.2
1.3
10
光敏
表面
13
站在关
0.8
1
0.45
领导
0.07
1
有源区的细节
（设计尺寸）
5.8
0.1
3.5
0
200
400
600
800
1000
1200
POSITION （微米）
KAPDB0050EA
CASE GND
0.07
KAPDA0021EA
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2
猫。第KAPD1002E02
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