光电二极管
硅光电二极管
S8551, S8552, S8553
光电二极管的VUV （真空紫外）检测
S8551 ， S8552和S8553是VUV （真空紫外）光电二极管适于检测的ArF准分子激光器（ λ = 193纳米）。旨在提供
在真空紫外范围内获得最佳性能，这些光电二极管提供长期暴露在真空紫外辐射，即使相比更稳定的灵敏度
传统的类型。
特点
应用
l
ArF准分子激光的可靠检测提高
S8551 ： 5.8 × 5.8毫米
S8552 ： 10× 10毫米
S8553 ： 18× 18毫米
l
窗户包
S8551 ： TO- 8封装的金属
S8552 ： 16.5 × 15.0毫米陶瓷封装
S8553 ： 25.5 × 25.5毫米陶瓷封装
l
大有效面积
（ λ = 193 nm）的
l
ArF准分子激光器的检测
l
检测各种紫外线光源
I
绝对最大额定值（Ta = 25
°C)
参数
反向电压
工作温度
储存温度
*无凝结
符号
V
R
马克斯。
TOPR
TSTG
价值
5
-20 〜+ 60 *
-55〜 + 80 *
单位
V
°C
°C
I
电气和光学特性（Ta = 25
°C)
参数
拍摄的详细信息敏感度
暗电流
终奌站
电容
上升时间
符号
S
I
D
Ct
tr
条件
λ=193
nm
V
R
-10毫伏
V
R
= 0 V ， F = 10千赫
V
R
= 0 V ，R
L
=1 kΩ
10 ％至90％
分钟。
45
-
-
-
S8551
典型值。
60
0.02
1.0
2
马克斯。
-
0.5
-
-
分钟。
45
-
-
-
S8552
典型值。
60
0.05
4.0
9
马克斯。
-
1.0
-
-
分钟。
45
-
-
-
S8553
典型值。
60
0.1
8.0
18
马克斯。
-
5.0
-
-
单位
毫安/ W
nA
nF
µs
S8551 ， S8552和S8553采用无窗封装的光电二极管芯片的保护功能。始终使用以下
处理这些光电二极管时的注意事项。
I
操作注意事项
G
处理的光电二极管在一个干净的房间里。
G
切勿触摸光电二极管芯片表面和引线键合。
G
穿防尘手套和防尘口罩。
G
使用空气滤清器的灰尘吹走灰尘和异物的光电二极管芯片表面。
G
不要以任何比吹气等方法清理光电二极管。
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HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
