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    HMN2M8D-150 参数 Datasheet PDF下载

    HMN2M8D-150图片预览
    型号： HMN2M8D-150
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块16兆（ 2,048K ×8位） ， 36PIN DIP， 5V [Non-Volatile SRAM MODULE 16Mbit (2,048K x 8-Bit), 36Pin-DIP, 5V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 174 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN2M8D-150的Datasheet PDF文件第9页  
    HANBit
    HMN2M8D
    POWER-DOWN/POWER-UP CYCLE
    (T
    A
    = T
    OPR,
    V
    CC
    =5V)
    PARAMETER
    V
    CC
    slew, 4.75 to 4.25V
    V
    CC
    slew, 4.75 to V
    SO
    V
    CC
    slew, V
    SO
    to V
    PFD
    (max)
    SYMBOL
    t
    PF
    t
    FS
    t
    PU
    Time during which SRAM
    is write-protected after V
    CC
    passes V
    PFD
    on power-up.
    T
    A
    = 25℃
    Delay after Vcc slews down
    past V
    PFD
    before SRAM is
    Write-protected.
    CONDITIONS
    MIN
    300
    10
    0
    TYP.
    -
    -
    -
    MAX
    -
    -
    -
    UNIT
    ㎲
    ㎲
    ㎲
    Chip enable recovery time
    Data-retention time in
    Absence of V
    CC
    t
    CER
    40
    80
    120
    ms
    t
    DR
    5
    -
    -
    years
    Write-protect time
    t
    WPT
    40
    100
    150
    ㎲
    TIMING WAVEFORM
    - Read Cycle No.1 (Address Access)*
    1,2
    t
    RC
    Address
    t
    ACC
    t
    OH
    D
    OUT
    Previous Data Valid
    Data Valid
    - Read Cycle No.2 (/CE Access)
    *1,3,4
    /CE
    t
    ACE
    t
    CLZ
    D
    OUT
    High-Z
    t
    RC
    t
    CHZ
    High-Z
    URL : www.hbe.co.kr
    Rev. 1.0 (May, 2002)
    6
    HANBit Electronics Co.,Ltd

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