韩光
HDD32M72B9
DDR SDRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) ,基于on32Mx8,4Banks ,
8K参考,无缓冲ECC SO- DIMM
产品型号HDD32M72B9
概述
该HDD32M72B9是32M X 72位双数据速率( DDR )同步动态RAM的高密度内存模块。
该模块由九个CMOS 32M ×8位,在66pin TSOP -II封装400mil和2K 4banks的DDR SDRAM
在一个200引脚的玻璃环氧树脂EEPROM采用8引脚TSSOP封装。四0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷
电路板并行地对每个DDR SDRAM 。该HDD32M72B9是一个SO- DIMM (小型双列直插式内存
模块) .Synchronous设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。数据I / O事务是可能的
在DQS的两边。的工作频率,可编程延迟和脉冲串长度范围允许在同一设备
要为各种高带宽,高性能米埃默里系统应用中。所有的模块组件可
动力从单个2.5V的直流电源和所有输入和输出都SSTL_2兼容。
特点
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部分鉴定
HDD32M72B9
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16B
HDD32M72B9
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13A
HDD32M72B9
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13B
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:
为166MHz (CL = 2.5)
为133MHz (CL = 2)
为133MHz (CL = 2.5)
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基于32Mx8 DDR SDRSM带ECC 256MB ( 32Mx64 )无缓冲DDR SO -DIMM
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2.5V
±
0.2V VDD和VDDQ电源
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自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
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所有输入和输出都与SSTL_2接口兼容
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数据(DQ ),数据选通信号和写掩码锁存时钟的上升沿和下降沿
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所有地址和控制输入,除了数据(DQ ),数据选通和数据掩码锁存时钟的上升沿
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问) : 2,2.5
- 突发长度: 2 , 4 , 8
- 突发类型:顺序&交错
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数据(DQ ),数据选通信号和写掩码锁存时钟的上升沿和下降沿
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所有地址和控制输入,除了数据(DQ ),数据选通和数据掩码锁存时钟的上升沿
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所用设备为8M X 8位X 4Banks DDR SDRAM
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自动&自我刷新, 7.8us刷新间隔( 8K / 64ms的刷新)
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串行存在检测与EEPROM
网址: www.hbe.co.kr
REV 1.0 ( 2003年7月)。
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韩光电器有限公司。