韩光
HDD32M72B18RPW
DDR SDRAM模组256Mbyte （ 32Mx72bit ）的基础上， 16Mx8 ， 4Banks ， 4K
参考文献， 184PIN -DIMM与PLL &注册
产品型号HDD32M72D18RPW
概述
该HDD32M72D18RPW是64M X 72位双数据速率（ DDR ）同步动态RAM高密度存储器
模块。该模块由18 CMOS 16M ×8位与4banks的DDR SDRAM在66pin TSOP- II封装400mil
和2K EEPROM采用8引脚TSSOP封装在一个184引脚的玻璃环氧树脂。四0.1uF的去耦电容安装在
在印刷电路板平行的每个DDR SDRAM 。该HDD32M72D18RPW是一个DIMM （双列直插式内存
模块） .Synchronous设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。数据I / O事务是可能的
在DQS的两边。的工作频率，可编程延迟和脉冲串长度范围允许在同一设备
要为各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。所有的模块组件可
动力从单个2.5V的直流电源和所有输入和输出都SSTL_2兼容。
特点
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部分鉴定
HDD32M72B18RPW
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10A
HDD32M72B18RPW
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13A
HDD32M72B18RPW
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13B
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:
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为100MHz （CL = 2）的
为133MHz （CL = 2）
为133MHz （CL = 2.5）
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256MB （ 32Mx72 ）注册的DDR DIMM基于16Mx8 DDR SDRSM
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2.5V
±
0.2V VDD和VDDQ电源
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自动&自我刷新能力（ 4K周期/ 64ms的）
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所有输入和输出都与SSTL_2接口兼容
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数据（DQ ），数据选通信号和写掩码锁存时钟的上升沿和下降沿
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所有地址和控制输入，除了数据（DQ ），数据选通和数据掩码锁存时钟的上升沿
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问） ： 2,2.5
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 数据加扰：顺序&交错
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数据（DQ ），数据选通信号和写掩码锁存时钟的上升沿和下降沿
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所有地址和控制输入，除了数据（DQ ），数据选通和数据掩码锁存时钟的上升沿
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所用设备为4M X 8位X 4Banks DDR SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
